Gen 172012
 

Alla IBM, i ricercatori sono riusciti a memorizzare un’informazione in appena 12 atomi magnetici. Se riflettiamo sul fatto che oggi i più moderni sistemi di storage riescono a memorizzare un singolo bit di memoria su oltre un milione di atomi, questo rende subito, l’idea della validità della scoperta, sia in termini di capacità di memoria, sia in termini di dimensioni.

La tecnologia di memorizzazione attuale, è sicuramente diventata più efficiente e più economica. Ma la miniaturizzazione dei componenti, rappresenta il vero limite agli ulteriori sviluppi. Gli scienziati della IBM, hanno affrontato questo problema dal basso, dalla struttura più piccola, l’atomo, cercando di trovare un approccio differente al problema che potesse consentire di superare i limiti attuali. Le future nanostrutture, che vengono costruite a partire da un atomo e che applicano una forma non convenzionale di magnetismo, denominata antiferromagnetismo, potrebbero consentire di memorizzare 100 volte più informazioni nello stesso spazio.

I dispositivi del futuro, basati su questa tecnologia, potrebbero portare a soluzioni più piccole, veloci e efficienti dal punto di vista energetico.

Andreas Heinrich, il responsabile di questo progetto, ha spiegato il senso di questo studio e l’approccio inverso nella risoluzione del problema di immagazzinamento delle informazioni. Ha detto infatti, “L’industria dei chip continuerà a perseguire la scalabilità incrementale nella tecnologia dei semiconduttori ma, man mano che i componenti continueranno a restringersi, la marcia proseguirà verso l’inevitabile punto di arrivo: l’atomo. Noi adottiamo l’approccio opposto e partiamo dall’unità più piccola, i singoli atomi, per costruire dispositivi di storage e di calcolo un atomo alla volta”.

I ricercatori hanno utilizzato un microscopio a effetto tunnel (STM) per progettare a livello atomico un raggruppamento di dodici atomi accoppiati in modo antiferromagnetico. Questi hanno memorizzato un bit di dati per ore a basse temperature. Ciò ha aumentato enormemente la densità di storage magnetico, senza alterare lo stato dei bit adiacenti.

Vedremo a cosa porterà questa nuova tecnologia.