Grandi novità nel campo delle memorie all’Università Johns Hopkins di Baltimora, i ricercatori sono riusciti a cambiare le proprietà di elementi utilizzati nelle memorie a cambiamento di fase. Questa innovazione potrebbe portare in breve tempo ad un sistema per la creazione di supporti più rapidi, più capienti e più risparmiosi.
APPROFONDIMENTO – Le memorie a cambiamento di fase sono memorie a stato solido, il cui materiale standard è una lega di Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te) chiamata GST. Questa lega, ha la proprietà di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente che la attraversa; il passaggio di questa corrente, riscalda il GST inducendo il cambiamento di fase.
Questa tecnologia è già vecchia di trent’anni, ma grazie alle scoperte dei ricercatori della Johns Hopkins, potrebbe conoscere una nuova giovinezza e espansioni impensabili fino a qualche tempo fa. La possibilità di controllare sulla materia questi cambiamenti di fase, già sperimentati su supporti ottici quali CD e DVD riscrivibili, può consentire di ottenere supporti ad alta densità capaci di memorizzare molti più dati, in maniera decisamente più rapida e duratura di quelli attuali. Anche queste memorie sono soggette a usura, ma possono sopportare fino 10 milioni di cicli di scrittura contro i 100.000 degli attuali sistemi di memorizzazione flash. Tra i big impegnati in questo settore IBM e Intel.
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